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  • RIBE1500大口径干法等离子刻蚀V2.0
    特别适用于大直径,高均匀性和特殊微纳结构的基板蚀刻。最大刻蚀尺寸可达 φ5500mm。通过高密度等离子体和离子浓度校正系统,可以实现基板有效蚀刻区域均匀性高的技术指标,以满足大直径基板的蚀刻要求。、特别适用于蚀刻熔融石英,硅,光刻胶,聚酰亚胺 (PI) 薄膜,金属等材料。
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  • 研究-RIE干法刻蚀
    反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于制备微纳结构的等离子体刻蚀技术。在蚀刻过程中,低压等离子体产生高能离子和自由基,这些离子和自由基与样品表面反应以产生挥发性化合物。在从样品表面提取这些挥发性化合物之后,样品表面实现各向同性或各向异性形态。使用RIE可以蚀刻许多材料,通过优化蚀刻参数可以获得更好的结果
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  • RIE等离子体刻蚀
    反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于制备微纳结构的等离子体刻蚀技术。在蚀刻过程中,低压等离子体产生高能离子和自由基,这些离子和自由基与样品表面反应以产生挥发性化合物。在从样品表面提取这些挥发性化合物之后,样品表面实现各向同性或各向异性形态。使用RIE可以蚀刻许多材料,通过优化蚀刻参数可以获得更好的结果
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  • IBE350干法刻蚀设备V1.0
    简介: 刻蚀设备在半导体行业中占有至关重要的地位,可以实现纳米级的精密刻蚀。它为复杂微结构的器件加工和微电子器件的制造提供了重要支撑,在芯片领域发挥着关键作用。
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  • RIBE2000大口径干法等离子刻蚀V3.0
    最大尺寸可刻蚀φ2000mm基片。
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公司地址:四川.成都经济技术开发区(龙泉驿)车城西二路288号
制造基地:四川.南充.顺庆高新区科创路21号超迈智能制造产业园
公司名称:成都超迈光电科技有限公司
电话:028-88423503  18011586919
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