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产品应用领域
超越大孔径等离子体刻蚀
本设备主要用于半导体刻蚀，可兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，利用气态化学刻蚀剂与材料反应进行刻蚀，并可将形成的挥发性副产物从衬底上清除，通过真空系统、特别适用于蚀刻熔融石英，硅，光刻胶，聚酰亚胺 (PI) 薄膜，金属等材料。
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超越大口径干法刻蚀设备
超越系列干法蚀刻机特别适用于大直径，高均匀性和特殊微纳结构的基板蚀刻。最大刻蚀尺寸可达 φ2500mm。通过高密度等离子体和离子浓度校正系统，可以实现基板有效蚀刻区域均匀性高的技术指标，以满足大直径基板的蚀刻要求。
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研究-RIE干法刻蚀
反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于制备微纳结构的等离子体刻蚀技术。在蚀刻过程中，低压等离子体产生高能离子和自由基，这些离子和自由基与样品表面反应以产生挥发性化合物。在从样品表面提取这些挥发性化合物之后，样品表面实现各向同性或各向异性形态。使用RIE可以蚀刻许多材料，通过优化蚀刻参数可以获得更好的结果
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ICP等离子体刻蚀
反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜的干法刻蚀，包括SiO2，Si3N4，SiON，SiC等。
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IBE等离子蚀刻
该系统是一种台式离子束蚀刻系统，手动放膜和取膜，并通过触摸屏自动实现过程控制。该系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计、维护方便、成本低等优点。该系统的所有核心组件都是自行开发的。
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RIE等离子体刻蚀
反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于制备微纳结构的等离子体刻蚀技术。在蚀刻过程中，低压等离子体产生高能离子和自由基，这些离子和自由基与样品表面反应以产生挥发性化合物。在从样品表面提取这些挥发性化合物之后，样品表面实现各向同性或各向异性形态。使用RIE可以蚀刻许多材料，通过优化蚀刻参数可以获得更好的结果
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