1。气体类型: O2，CF4，CHF3，SF6，BCl3等
2。基板尺寸: zui支持8英寸，向后兼容6、5、4、3、2英寸等片
3。射频电源ICP电源: 13.56MHz，1400W; 偏置电源: 13.56MHz，800W
4.工艺温度: 10 ℃ ~ 80 ℃ 可控
5.传输模式: 自动装载锁传输系统
ICP等离子体刻蚀
反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜的干法刻蚀，包括SiO2，Si3N4，SiON，SiC等。
1。气体类型: O2，CF4，CHF3，SF6，BCl3等
2。基板尺寸: zui支持8英寸，向后兼容6、5、4、3、2英寸等片
3。射频电源ICP电源: 13.56MHz，1400W; 偏置电源: 13.56MHz，800W
4.工艺温度: 10 ℃ ~ 80 ℃ 可控
5.传输模式: 自动装载锁传输系统
