产品展示
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RIBE1500大口径干法等离子刻蚀V2.0
特别适用于大直径，高均匀性和特殊微纳结构的基板蚀刻。最大刻蚀尺寸可达 φ5500mm。通过高密度等离子体和离子浓度校正系统，可以实现基板有效蚀刻区域均匀性高的技术指标，以满足大直径基板的蚀刻要求。、特别适用于蚀刻熔融石英，硅，光刻胶，聚酰亚胺 (PI) 薄膜，金属等材料。¥ 0.00立即购买
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IBE350干法刻蚀设备V1.0
简介: 刻蚀设备在半导体行业中占有至关重要的地位，可以实现纳米级的精密刻蚀。它为复杂微结构的器件加工和微电子器件的制造提供了重要支撑，在芯片领域发挥着关键作用。¥ 0.00立即购买
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RIE等离子体刻蚀
反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于制备微纳结构的等离子体刻蚀技术。在蚀刻过程中，低压等离子体产生高能离子和自由基，这些离子和自由基与样品表面反应以产生挥发性化合物。在从样品表面提取这些挥发性化合物之后，样品表面实现各向同性或各向异性形态。使用RIE可以蚀刻许多材料，通过优化蚀刻参数可以获得更好的结果¥ 0.00立即购买
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研究-RIE干法刻蚀
反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于制备微纳结构的等离子体刻蚀技术。在蚀刻过程中，低压等离子体产生高能离子和自由基，这些离子和自由基与样品表面反应以产生挥发性化合物。在从样品表面提取这些挥发性化合物之后，样品表面实现各向同性或各向异性形态。使用RIE可以蚀刻许多材料，通过优化蚀刻参数可以获得更好的结果¥ 0.00立即购买
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RIBE2000大口径干法等离子刻蚀V3.0
最大尺寸可刻蚀φ2000mm基片。¥ 0.00立即购买
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