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成都超迈光电科技有限公司

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产品详情

  1. 设备尺寸:1200*1500 * 1800毫米。
  2. 极限真空: 更好≤ 8.0 × 10-5Pa.
  3. 样本量:6英寸向下兼容性。
  4. 蚀刻类型: 物理蚀刻。
  5. 蚀刻气体: Ar，O2。
  6. 蚀刻气体流量:0 ~ 100sccm。
  7. 离子源类型: Kaufman直流离子源，角度可调。

IBE350干法刻蚀设备

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简介: 刻蚀设备在半导体行业中占有至关重要的地位，可以实现纳米级的精密刻蚀。它为复杂微结构的器件加工和微电子器件的制造提供了重要支撑，在芯片领域发挥着关键作用。
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