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本设备主要用于半导体刻蚀,可兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能,利用气态化学刻蚀剂与材料反应进行刻蚀,并可将形成的挥发性副产物从衬底上清除,通过真空系统、特别适用于蚀刻熔融石英,硅,光刻胶,聚酰亚胺 (PI) 薄膜,金属等材料。
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