成都超迈-了解SiC生产工艺

1。导电类型:

单晶硅由掺杂的施主或受主杂质决定。P型单晶通过掺杂诸如硼的IIIA族元素形成，而N型单晶通过掺杂诸如磷的VA族元素形成。用于外延晶片衬底的N型单晶可以掺杂有锑或砷元素。

2。电阻率和均匀性:

在拉单晶时，通过掺杂一定量的杂质来控制电阻率。电阻率的均匀性包括垂直、截面和微区电阻率的均匀性，直接影响器件参数的一致性和成品率。

3.非平衡载流子寿命:

非平衡载流子寿命是指在光照或电注入条件下产生的额外电子和空穴的平均存在时间。该寿命值与器件的放大倍数、反向电流和开关特性有关，也间接反映了硅单晶的纯度。

4.晶体缺陷:

硅单晶对位错密度有一定的限制，不允许存在小角度晶界、位错排、星型结构等缺陷。无位错硅单晶占生产的大部分，但在无位错硅单晶中仍可能存在杂质簇和沉淀物等微缺陷。

5.氧气浓度:

硅中的氧通常在头部高，在尾部低。硅中氧的行为是复杂的，既有益又有害。它处于硅晶格中的间隙位置，可以增加机械强度，但也可能形成热施主，氧沉淀和微缺陷，从而影响单晶硅的质量和性能。