半导体刻蚀CCP和ICP刻蚀设备？

在半导体干法刻蚀中，主要有两种设备: 电容耦合等离子体 (电容耦合等离子体，CCP) 刻蚀、电感耦合等离子体 (电感耦合等离子体，ICP)

这两个原则有什么区别？

CCP: Up和Down两个电极板在施加射频电压产生等离子体上的应用，在上电极和等离子体之间形成电容。电子在电场的作用下获得能量，然后引起气体分子的电离; 离子被电场吸引，高速冲向承载在底部电极上的晶片，并与晶片表面发生物理和化学反应，完成蚀刻动作。

比较方案:射频电流在旋转感应线圈上的应用，在一定比例的混合气体中通过耦合辉光放电，产生高密度等离子体，在下电极中的RF射频的作用下，这些等离子体在晶片表面上发生物理和化学反应，以完成蚀刻作用。

主要用于fab的哪些工序？

CCP: 刻蚀键能大、孔深、纵横比大的物质，主要用于氧化物、氮化物、接触等刻蚀环节；

ICP: 主要用于Si，poly，金属等STI，栅极和导线等蚀刻环节。

?

CCP:1) 存在较高的碰撞压力和频率，需要考虑等离子体的均匀性和蚀刻速率的平衡。2) 上电极容易被离子破坏，造成损坏或颗粒; 3) 更好的均匀性。

ICP:1) 蚀刻速率快，选择性高，损伤小; 2) 均匀性不如ccp好; 3) 污染或损伤小于ccp。

市场？

基本的一半一半。

2023全球CCP刻蚀设备市场约104亿美元，ICP刻蚀设备市场约99亿美元；

2023我国刻蚀设备市场规模约390亿元，CCP和ICP基本平分。

(转载)