SiC衬底加工

5.倒角:，为了防止在后续加工过程中晶片边缘出现边缘碎裂和裂纹等现象，并减少后续加工过程中抛光垫，抛光垫等的损耗，线切割后的晶片的锋利边缘需要研磨成指定的形状。

6.减薄:4H-SiC铸锭在晶片表面留下大量划痕和亚表面损伤，主要目的是通过使用金刚石砂轮进给尽可能去除划痕和损伤。

7。研磨:磨削工艺分为粗磨和细磨。具体过程类似于减薄，但使用粒径较小的碳化硼或金刚石磨料，去除率较低，主要去除减薄过程中无法去除的损伤和新引入的损伤。

8.抛光:抛光是4H-SiC衬底加工的最后一道工序，也分为粗抛光和精密抛光。在抛光液的作用下在晶片表面产生较软的氧化层，在氧化铝或氧化硅磨粒的机械作用下除去氧化层。该工艺完成后，衬底表面基本无划痕和亚表面损伤，具有极低的表面粗糙度，是实现4H-SiC衬底表面超光滑无损伤的关键工艺。

9。清洁:成都超迈去除污染物，如颗粒，金属，氧化物薄膜和有机物从过程中留下。