Sic产业2

SiC衬底:SiC晶体通常通过ley方法制造。国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，已经开发出8英寸导电基板产品。国产基材以4英寸为主。由于现有的6英寸硅片生产线可以升级用于生产SiC器件，因此6英寸SiC衬底的高市场份额将长期保持。

成都超迈碳化硅衬底工艺复杂且难以制造。碳化硅衬底是由碳和硅这两种元素构成的化合物半导体单晶材料。目前，工业上主要以高纯碳粉和高纯硅粉为原料合成碳化硅粉末。在特定的温度场下，采用成熟的物理气相传输法 (PVT法) 在晶体生长炉中生长不同尺寸的碳化硅锭。最后，通过加工，切割，研磨，抛光，清洁和其他工艺生产碳化硅衬底。

成都超迈稳定的批量生产性能的高质量碳化硅晶片有:

1) 由于晶体需要在2000 ℃ 以上的高温封闭环境中生长，因此温度控制要求极高；

2) 由于碳化硅具有200多种晶体结构，但只有少数单晶碳化硅结构是所需的半导体材料，因此需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率和晶体生长过程中的气压。气体流量压力等参数；

3) 气相输运法下，碳化硅晶体生长扩径技术难度极大；

4) 碳化硅的硬度接近金刚石，切割，研磨和抛光的技术难度大。

成都超迈SiC外延:通常通过化学气相沉积 (CVD) 方法制造，并根据不同的掺杂类型分为n型和p型外延片。国内汉天成和东莞天宇已经能够提供4英寸/6英寸SiC外延片。对于SiC外延，很难控制高压场，SiC外延的质量对SiC器件有很大影响。此外，扩展设备由Axitron，LPE，TEL和Nuflare这四大行业领先企业垄断。

(待续)