Sic产业1

制造基板的主流方式是先通过物理气相升华，在高温真空环境下，将粉体升华，通过控制温度场在晶种表面生长碳化硅晶体。使用碳化硅晶片作为衬底，使用化学气相沉积法在晶片上沉积单晶层以形成外延晶片。在导电碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层可以制成功率器件，主要用于电动车、光伏等领域; 在半绝缘碳化硅衬底上生长的氮化镓外延层可以进一步制成射频器件，应用于5g通信等领域。

目前，碳化硅产业链中碳化硅衬底的技术壁垒最高，碳化硅衬底的生产难度最大。

SiC的生产瓶颈尚未完全解决，原料晶柱质量不稳定，导致SiC器件成本居高不下。硅材料的长晶体可以在平均3天内长成晶体棒，但碳化硅晶体棒需要一周。一般的硅晶体棒可以生长200厘米长，但是碳化硅晶体棒只能生长2厘米。而且，SiC本身是一种硬而脆的材料，由其制成的晶圆在使用传统的机械切割晶圆时容易出现边缘碎裂，影响产品良率和可靠性。SiC衬底与传统的硅锭非常不同。从设备，工艺，处理到切割的一切都需要开发以处理碳化硅。

成都超迈碳化硅产业链主要分为四个环节: 衬底、外延、器件和应用。衬底材料是产业链的基础，外延材料是器件制造的关键，器件是产业链的核心，应用是产业发展的驱动力。行业上游采用原材料通过物理气相升华法等方法制作衬底材料，再采用化学气相沉积法等方法生长外延材料，行业中游基于上游材料制作射频器件、功率器件等器件，并最终应用于下游5g通信、电动汽车、轨道交通等。其中，承印物和延伸物占产业链成本的60% %，是产业链的主要价值。

(待续)