半导体图案化工艺流程

这意味着晶片的每个部分的蚀刻深度是不同的。为此，通过考虑平均蚀刻速率和蚀刻深度来设定蚀刻应当停止的终点 (EOP) 是非常重要的。即使设置了EOP，也有一些区域比最初计划的蚀刻得更深 (过蚀刻) 或更浅 (蚀刻不足)。然而，在蚀刻期间，欠蚀刻导致比过蚀刻更多的损坏。因为在蚀刻不充分的情况下，蚀刻不充分的部分可能阻碍后续工艺，例如离子注入。

成都超迈同时，选择性 (选择性，通过蚀刻速率测量) 是蚀刻工艺的关键性能指标。其标准基于掩模层 (光致抗蚀剂膜、氧化物膜、氮化硅膜等) 和目标层的蚀刻速率的比较。这意味着选择性越高，目标层被蚀刻得越快。小型化的水平越高，对选择性的要求就越高，以确保可以完美地呈现精细图案。由于蚀刻方向是线性的，因此阳离子蚀刻的选择性低，而自由基蚀刻的选择性高，从而提高了RIE的选择性。

5.蚀刻工艺

图5。蚀刻工艺

成都超迈首先，将晶片放置在氧化炉中，温度保持在800和1000 ℃ 之间，然后通过干法工艺在晶片表面上形成具有高绝缘性能的二氧化硅 (SiO2) 膜。接下来，执行沉积工艺以通过化学气相沉积 (CVD)/物理气相沉积 (PVD) 在氧化物膜上形成硅层或导电层。如果形成硅层，则可以根据需要进行杂质扩散处理以增加导电性。在杂质扩散过程中，经常重复添加多种杂质。

绝缘层和多晶硅层应该结合起来进行蚀刻。首先，使用光致抗蚀剂。随后，将掩模放置在光致抗蚀剂膜上，并通过浸渍法进行湿曝光，从而在光致抗蚀剂膜上压印期望的图案 (肉眼不可见)。当通过显影呈现图案轮廓时，去除光敏区域中的光致抗蚀剂。然后，通过光刻工艺处理的晶片被转移到用于干蚀刻工艺的蚀刻工艺。

干法蚀刻主要通过反应离子蚀刻 (RIE) 方法来执行，其中主要通过改变适合于每个膜的源气体来重复蚀刻。干法蚀刻和湿法蚀刻都旨在增加蚀刻的纵横比 (A/r值)。此外，必须通过定期清洁来去除积聚在孔底部 (通过蚀刻形成的间隙) 的聚合物 (聚合物)。重要的是，有机地调整所有变量 (例如，材料、源气体、时间、形式和顺序) 以确保清洁溶液或等离子体源气体可以向下流动到沟槽的底部。一个变量的微小变化需要重新计算其他变量，重复计算直到满足每个阶段的目的。

成都超迈最近，单原子膜层如原子层沉积 (ALD) 层已经变得更薄和更硬。因此，蚀刻技术正朝着使用低温和低压的方向发展。蚀刻工艺被设计成控制临界尺寸 (CD)，以便产生精细图案并确保避免由蚀刻工艺引起的问题，特别是蚀刻不足和与残留物去除相关的问题。以上两篇关于蚀刻的文章旨在使读者理解蚀刻工艺的目的、实现上述目标的障碍以及用于克服这些障碍的性能度量。