半导体图案化工艺流程

4.刻蚀工艺流程及相关问题

图4。蚀刻相关工艺流程

成都超迈蚀刻工艺流程开始于形成薄膜，在其上施加光刻胶，并执行曝光、显影、蚀刻、灰化、清洗、检查和离子注入的步骤以形成三个Tr端子，这是半导体制造的核心工艺。如果在显影过程中没有平滑地切割光致抗蚀剂，则剩余的光致抗蚀剂会阻碍蚀刻。如果在蚀刻工艺期间没有充分地蚀刻目标层，则因为杂质干扰离子注入而不能按计划注入离子。如果在干蚀刻之后没有完全去除残留的聚合物，则会出现相同的结果。如果等离子体的离子气体的量太大或者由于时间控制的失败而导致膜被过度蚀刻，则对底层膜造成物理损坏。

在干蚀刻工艺中，对终点 (EOP: 终点) 的精确控制是非常重要的。彻底检查蚀刻条件以及灰化和清洁工艺也非常重要。如果晶片未被均匀地蚀刻，则晶片可能会返回，并且欠蚀刻比过蚀刻更致命。

成都超迈由于蚀刻过程中涉及的步骤的复杂性，我打算分两部分进行描述。在这一部分中，我们阐述了蚀刻技术的历史和发展方向。在下一节中，我们将详细说明等离子体与蚀刻，RIE，蚀刻方法，纵横比和蚀刻速率之间的关系。

成都超迈早期的湿法蚀刻促进了清洁或灰化工艺的发展。如今，使用等离子体的干蚀刻 (干蚀刻) 方法已成为主流蚀刻工艺。等离子体由电子、阳离子和自由基 (自由基) 粒子组成。施加到等离子体的能量使处于中性状态的源气体的最外层电子被剥离，从而将这些电子转换成阳离子。此外，可以通过施加能量以形成电中性自由基来剥离分子中的不完美的原子。干法蚀刻利用构成等离子体的阳离子和自由基，其中阳离子具有各向异性 (适于在一个方向上蚀刻)，自由基具有各向同性 (适于在所有方向上蚀刻)。自由基的数量远远超过阳离子的数量。在这种情况下，干蚀刻应该具有类似于湿蚀刻的各向同性。然而，正是干蚀刻的各向异性蚀刻使得超小型电路成为可能。此外，阳离子和自由基的蚀刻速率很慢，那么面对这一缺点，我们应该如何将等离子体蚀刻方法应用于大规模生产？

(待续)