半导体图案化工艺流程

1。沉积与刻蚀技术的发展趋势

图1。沉积与刻蚀技术的发展趋势

在成都超迈晶片被称为沉积 (化学气相沉积 (CVD) 、原子层沉积 (ALD) 和物理气相沉积 (PVD))，并且在形成的 “层” 上绘制电路图案的过程被称为曝光。蚀刻是在沉积和曝光工艺之后根据晶片上的图案进行蚀刻的工艺。光刻工艺的作用类似于绘制草图，真正使晶圆发生显著变化的是沉积和蚀刻工艺。

自从半导体出现以来，蚀刻和沉积技术都有了显著的发展。沉积技术最显着的创新是从沟槽到堆叠的转变，这与1990年器件容量从1兆位 (Mb)DRAM到4兆位 (Mb)DRAM的发展相吻合。蚀刻技术的一个关键点是在2010年，当3D NAND闪存单元堆叠的数量超过24层时，随着堆叠的层数增加到128、256和512层，蚀刻工艺已成为技术上最困难的工艺之一。

2。蚀刻方法的改变

图2。微型化 (2D) 和蚀刻方法的发展

在2D (平面结构) 半导体小型化和3D (空间结构) 半导体堆叠技术的发展中，蚀刻工艺也在不断发展。在1970年代，2D半导体是主流，电路的临界尺寸 (CD) 从100微米 (µ m) 迅速下降到10微米 (µ m) 甚至更低。在此期间，半导体制造过程中的大多数关键工艺技术已经成熟，而蚀刻技术已经从湿法蚀刻过渡到干法蚀刻。对于层切割技术，首先要使用的是化学湿法，这是一种相对简单的技术。由于化学湿法很难满足1970年s的5微米 (μ m) 的临界尺寸，因此开发了一种使用等离子体的干法。发展到今天，蚀刻工艺大多是干法的，而成都超迈湿法蚀刻技术后来被开发用于清洁工艺。

3.湿法刻蚀和干法刻蚀的优缺点

图3。湿法刻蚀和干法刻蚀的优缺点

湿法蚀刻速度更快，因为它使用了液体，并且每分钟的去除深度更大，但不会形成类似于直正方形的结构。湿法蚀刻均匀地蚀刻所有方向，导致横向方向上的损耗，这对于CD小型化应该避免。相反，干法蚀刻可以在特定方向上执行切割，从而实现理想纳米 (nm) 水平的超精细图案轮廓。

此外，湿法蚀刻造成环境污染，因为使用过的液体溶液需要在工艺完成后进行处理。相反，当使用干法蚀刻时，在排气管线中布置洗涤器，该洗涤器可以在将废气排放到大气之前经历中和过程，从而减少对环境的影响。

，成都超迈难以瞄准特定层 (膜)。当蚀刻特定层时，更容易使用湿法蚀刻，因为它使用化学反应来蚀刻。然而，因为需要物理和化学技术的组合，所以在进行选择性蚀刻时不容易使用干法。

(待续)