PVD有点烦人，不烦人!有点烦人!

1。磁控溅射和磁性目标光问题。

a.增强磁场十亿300-700GS。

B.减少目标厚度2-3mm。

c.增加工作气压。

d.清除目标表面上的污垢。

2。降低表面粗糙度。

a.热处理。

B.控制工艺参数。

c.机械抛光。

d.化学抛光。

e.电化学抛光。

f.厚底涂层的液相电镀。

g.喷涂有机底漆。

3。薄膜附着力。

a.清洁。

B.干燥。

c.等离子体清洗。

d.过渡层。

4.供应商沉积速率缓慢。

a.反应溅射: 找到磁滞曲线的临界点会加快沉积速度，薄膜质量会很好。

B.射频溅射: 增加功率和降低气压 (例如7.5mT)。

5.乙炔可能会导致反应溅射过程中的不均匀性，从而导致基板上沉积膜的质量差异，从而反射 (规则的) 彩色条纹。

6.长时间溅射预防措施。

a.冷却系统。

B.盾牌。

c.电源灭弧功能。

d.衬垫的耐高温性。

7。磁控溅射参数。

a。其他条件相同，功率密度和时间对膜厚的影响近似成正比。功率的增加有利于提高膜层的密度和结晶度，时间的增加或减少影响衬底的温度升高和膜层的厚度，从而间接影响结晶度。

B.均匀性: 光学均匀性、电学均匀性、膜厚均匀性。

c.分光计，四个探头，薄膜厚度测试仪。

d. DC: 平滑电位，金属等常规导电目标，ITO稳定的沉积速率高。

e.射频: 高频振荡，常用13.56MHz，常用于绝缘(SiO2,AL2O3)、半导体、金属材料，膜层致密，沉积速率低。

8.磁控管功率辐射。

a.电源辐射是存在的，特别是对于RF电源。

B.建议选择优质电源 (XX等) 、国内射频功率反射功率2%，高质量的电源可以控制在1W。

c.电源匹配箱与阴极的连接应屏蔽。

D.电源匹配过程中辐射泄漏最大，因为匹配不好，反射功率每月高意味着反射越高。

e.对于怀孕和怀孕，最好远离无线电频率。

9。检测由于缺氧而在氧化膜中存在黑点。

a. RF溅射的氧化物通常是优异的。薄膜中的氧气会有轻微的损失。

B.可冲洗10%氧气改善。

c.观察蚀刻跑道。如果颜色与车身颜色相同，则可以消除此问题。如果蚀刻跑道比身体暗得多，则意味着缺氧。

10.Al更高。Cu,Gr很低。

a.影响溅射产率的因素: 入射离子能量和逃逸原子的结合能。

B.溅射的性质: 冲击和逃跑。

c.影响: 动量越大-收益率越高，在工业中越常见。Ar (成本和溅射产额的综合考虑)。

d.逃生:Al原子是小的和外部的3电子，结合性强，溅射产率低。

e.不同的溅射产率有规律地反映在元素周期表中。

11.直流磁控溅射靶的最大功率密度 [j].

a.影响因素: 冷却、靶材结构。

B.示例: 陶瓷/Si 5-8W/c㎡金属靶20-40W/c㎡。

12.塑料涂层。

A.有一个问题。

a.吸水量大、放气量大。

B.非极性和薄膜热膨胀系数差。

c。本身粗糙度大，耐热性差。

B.注意事项。

a.基板选择: 低粗糙度，少放气。

B.提高工艺真空度，降低工艺温度。

c.表面预处理和底漆的使用如UV有机涂层，等离子清洗。

d.添加过渡层。

13.直流溅射表面小颗粒问题。

a.清洁问题。

B.空腔灰尘。

c.目标杂质。

d.电源不匹配，电弧ARC。

e.对于反应溅射，氧化可能不完全。

14.薄膜厚度测量。

a.球磨。

B.步骤。

c.用金相显微镜进行截面测量。

d.扫描电镜。

e.XRY荧光射线无损测厚仪。

15.靶中毒

a.靶中毒主要是由于介质合成速率大于溅射产率(氧化反应气体)，造成导体靶的导电能力损失，只有提高击穿电压，才能发光，电压过高容易发生电弧放电。现象: 靶电压长时间无法达到正常，溅射靶一直处于低压运行状态，并伴有电弧放电;目标显示白色附件或密集的针状灰色放电痕迹。

B.如果要完全消除目标中毒，必须使用中频电源或射频电源代替直流电源;减少反应气体的量，增加溅射功率，清除靶上的污染物。(尤其是石油)，选用真空性能好的防尘灭弧罩等方法可以有效防止靶中毒的发生。磁铁浸入靶内的冷却水中,有污渍，只要磁场强度足够，冷却效果好，对目标的影响很小。

c.污渍影响不大~着火是由绝缘部件引起的，通常是局部中毒或赃物。溅射靶靶中毒是因为功率密度太低，相对过量的反应气体不能及时蒸发(或溅射)，靶的表面保留，导致电导率降低，从而进入中毒状态。光不能发光，重报废电源。

16.共同目标

金属靶材材料: 镍靶，Ni，钛靶，Ti，锌靶，Zn，铬靶，Cr，镁靶，毫克，铌靶，Nb，锡靶，Sn，铝靶，Al，铟靶，在，铁靶，Fe，锆铝靶，ZrAl，钛铝靶，TiAl，锆靶，Zr，铝硅靶，AlSi，硅靶，Si，铜靶Cu，钽靶T,a，锗靶，Ge，银靶，Ag，钴靶，公司，黄金目标，Au，钆靶，Gd，镧靶，La，钇靶，Y，铈靶，Ce，钨靶，w，不锈钢靶，镍铬靶，NiCr，铪靶，Hf，钼靶，Mo，铁镍靶，FeNi，钨靶，W等等。

陶瓷靶材

ITO靶，氧化镁靶，氧化铁靶，氮化硅靶，碳化硅靶，氮化钛靶，氧化铬靶，氧化锌靶，硫化锌靶，二氧化硅靶，一氧化硅靶，氧化铈靶，二氧化锆靶，二氧化锆靶，二氧化锆靶，二氧化铪靶、二硼化钛靶、二硼化锆靶、三氧化钨靶、二氧化铝靶、二氧化钇靶、氟化铝、氮化硅靶、氮化硼靶、氮化钛靶、碳化硅靶、铌酸锂靶、钛酸镨靶、可以使用钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等。