超迈光电分析半导体最全专业词汇二

1、Acetone丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质： 无色，具刺激性薄荷臭味的液体用途： 在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性： 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。

2、AEI蚀刻后检查AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。AEI的目的有四：提高产品良率，避免不良品外流。达到品质的一致性和制程的重复性。显示制程能力的指标。

3、Al-Cu-Si铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration)故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移。

4、AlkalineIons碱金属离子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。

5、Alloy合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。

6、Aluminum铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si。

7、Anneal回火又称退火： 也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 激活杂质： 使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用。

8、Angstrom埃是一个长度单位，1A=10-10米,其大小为1公尺的百亿分之一，约人的头发宽度的五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示膜层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用。 1 nm =10A

9、Argon氩气

10、ArcChamber弧光反应室弧光反应室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。

11、APM(Ammonia,hydrogen-PeroxideMixing)又称SC-1(StandardCleaningsolution-1)主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I.water,常用比率为1：1：6。能有效去处除无机颗粒，有机沉淀及若干金属玷污，去除颗粒能力随NH4OH增加而增加。

12、BackingPump辅抽泵在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠高真空泵是不行的（因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加入一个辅抽泵（如油泵）,先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。

13、Bake,Softbake,Hardbake烘培、软烤、预烤烘烤（Bake）: 在集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温(60℃~250℃)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。

14、BarrierLayer阻障层为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。

15、BB：Bird'sBeak鸟嘴在用Si3N4作为掩膜制作fieldoxide时，在Si3N4覆盖区的边缘，由于氧或水气会透过PadOxideLayer扩散至Si-Substrate表面而形成SiO2，因此Si3N4边缘向内会产生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Bird'sBeak。

16、Boat晶舟Boat原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。

17、BOE(Buffer Oxide Etching) ≠Best On EarthB.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH4F=l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使用。利用NH4F固定[H']的浓度，使之保持一定的蚀刻率

18、BoundaryLayer边界层假设流体在芯片表面流速为零，则流体在层流区及芯片表面将有一个流速梯度存在，称为边界层（BoundaryLayer）

19、BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)BPSG:为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质。

20、BreakdownVoltage崩溃电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线，因为只有在加正向电压时才导通，但假若施加的反向电压太高且超过一特定临界值时，反向电流将急剧上升，这个现象称为电崩溃。而使崩溃现象发生的临界电压称为崩溃电压，如图中的VBD。

21、BufferLayer缓冲层通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。

22、C1cleanClean的一种制程，它包括DHF(稀释HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2Omixed)---HPM(HCl-H2O2-H2Omixed)

23、Burnin预烧试验「预烧」(Burnin)为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。

24、CarrierGas载气用以携带一定制程反应物（液体或气体）进反应室的气体，例如用N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。

25、Chamber真空室，反应室专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。

26、Channel通道;缝道当在MOS的闸极加上电压（PMOS为负，NMOS为正）。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下的区域形成一反转层(Inversionlayer)。也就是其下的半导体p-type变成N-typeSi，N-type变成p-typeSi，而与源极和汲极成同type，故能导通汲极和源极。

27、通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场氧化层上方常有金属导线通过，为了防止金属层，场氧化层，底材硅产生类似NMOS的电容效应，场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层，以防止类似NMOS的反转层在场氧化层下发生，而破坏电晶体间的隔离。

28、化学机械研磨法随着用以隔离之用的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，金属层及介电层等构成IC的各个结构在芯片上建立之后，芯片的表面也将随之变得上下凸凹不平坦，致使后续制程变得更加困难。

29、电荷陷入无特定分布位置，主要是因为MOS操作时产生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷造成。

30、化学气相沉积参与反应的气体从反应器的主气流里藉着反应气体在主气流及芯片表面的浓度差，以扩散的方式经过边界层传递到芯片的表面。

31、晶粒一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。

32、洁净室又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求非常高。常用class表示等级（class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗）。

33、CMOS金属氧化膜半导体(MOS,Metal-OxideSemicoductor)其制造程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅(或金属)做为闸极，利用加到闸极的电场来控制MOS组件的开关(导电或不导电)。

34、CDA压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀的气体源。

35、挤压应力

36、Compressor压缩机将空气压缩形成高压气体的设备。

37、恒定源通常杂质在半导体高温扩散有两种方式:Constant-Surface-ConcentrationDiffusion(恒定源扩散):ThevaporsourcemaintainsaconstantlevelofsurfaceconcentrationduringtheentireDiffusionperiod(likePOCl3dope)这个扩散模式，是假设离子在界面上所具备的浓度，并不随扩散的进行而改变。且一直为一个定值所建立。

38、CROSSSection横截面IC的制造，基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍的一种。

39、低温泵将一个表面温度降到极低，甚至结近绝对零度时，与这个表面相接触的气体分子，将会产生相变化，而凝结在低温表面上，称为低温凝结。

40、Curing固化当以SOG来做介电层和平坦化的技术时，由于SOG是一种由溶剂与含有介电材质的材料，经混合而形成的一种液态介电材料，以旋涂（Spin-onCoating）的方式涂布在芯片的表面，必须经过热处理来趋离SOG本身所含的溶剂，称之为Curing.

41、CycleTime生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须的生产/制造时间。在TI-Acer，生产周期时两种解释:一为"芯片产出周期时间"（wafer-outtime）；一为"制程周期时间"(Processcycletime)"芯片产出周期时间"乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时间。

42、CVShift利用量测MOS电晶体在不同条件下的电容－电压关系曲线，来评估MOS氧化层品质的一种技术。一般要求CVShift<0.1VC-Vshift：加电压量电容：不断加电压在30℃时量取一条C-V曲线，然升温至250℃再降到30℃时再量取一条C-V曲线，发现两条C-V曲线并不会完全重合，只有当C-Vshift小于0.1V方符合标准。

43、磁控DC溅镀机为了使离子在往金属靶表面移动时获得足够的能量，除了提高极板间的电压外，还必须使离子在阴极暗区内所遭受的碰撞次数降低，就必须降低溅渡的压力，越低越好，以增长离子的平均自由径。

44、DC Plasma直流电浆电浆是人类近代物化史上重大的发现之一，指的是一个遭受部分离子化的气体，气体里面的组成有各种带电荷的电子，离子，及不带电的分子和原子团等。电浆产生器的两金属极板上加上直流电压而产生的电浆我们称为直流电浆。

45、DCSputtering直流溅镀法脱离电浆的带正电荷离子，在暗区的电场的加速下，将获得极高的能量，当离子与阴电极产生轰击之后，基于能量传递的原理，离子轰击除了会产生二次电子以外，还会把电极表面的原子给"打击"出来，称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering.

46、DCSSiH2Cl2

47、DefectDensity缺点密度"缺点密度"系指芯片单位面积上(如每平方公分，每平方英寸等)有多少"缺点数"之意，此缺点数一般可分两大类：A.可视性缺点B不可视性缺点。

48、Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故以高温步骤使薄膜中的分子重新结合以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完成。

49、空乏型DepletionMOS操作性质与增强型MOS相反，它的通道不须要任何闸极的加压（Vg）便已存在，而必须在适当的Vg下才消失。

50、沉积速率Deposition Rate，表示薄膜成长快慢的参数。一般单位A/min

51、DepthofWell井深